عبدالملکی

نانو کامپوزیت

* *

غشای نازک نانو کامپوزیت که پایه و اساس آن کربن است برای تولید محصولات چوبی استفاده می شود . بررسی و راه حل های امکان پذیر .

W.GULBINSKI موسسه مکاترو نیک ، نانو تکنولوژی و روش فنی ( اصول ) خلا ، دانشگاه تکنولوژی KOZALIN

مقدمه

پوشاننده ها برای چوبی باید با یک سری از احتیاجات مواجه شوند که به طور ذاتی با پردازشی برای فلز تعریف شده متفاوت است

بسته به ویژگی های چوب ، ساختارنا همگن شامل گنجایش بسیارسخت (اصول بسیار سخت) ، قابلیت هدایت ( رسانایی ) گرمایی کم آن ، رطوبت پذیری ، قابلیت تلفیق زیاد ( بالا) با مواد خورنده پوشاننده محافظ تولید ابزار چوبی باید به طور مقاوم به هم فشرده شوند . از نظر شیمیایی ساکن ( راکد ) و مقاوم در برابر خوردگی ( عمل شیمیایی ) . این خصوصیات باید چسبندگی بالا ، فشار درونی مجاز ، ساینده مقاومت و اصطکاک کم همراه باشد ویژگی های خواسته شده و کاربردی های پوشاننده ها باید باهم با ابزار ماده در نظر گرفته شود . ( فولاد آلیاژ پایین ، فولاد سرعت بالا ،CARBIDES  سیمانی ،STELLITES  ) ابزار علم هندسه و شرایط پردازش . ( سرعت قطع ، سرعت تغذیه و عمق آن ) به مانند پردازش مواد .      ( چوب زبر تخت ها ورقه ورقه شده ، تخته های MDF  ) تفاضاهای ویژه به شدت برش حاشیه تحت زاوه 20 درجه و برش حاشیه به شعاعی کمتر از 15 میکرومتر بر می گردد . تقریباً داشتن اینتفاضا ها با هم غیر ممکن است . سپس نوع پوشاننده باید با توجه به نوع خاص دسته ی ابزار ها و شرایط پردازش چوب انتخاب شود . در گروه پوشاننده ها ، مواد مطالعه می شونداما همچنین در صنعت چوب به کاربرده می شود یا به طور دقیق تر در تولید ابزار تولید چوب اتفاده می شوند .

دو زیر گروه اصلی وجوددارد :

-         اجزای تک ( یگانه ) و اجزای چند گانه نیترات ها و برای انبساط کوتاهتر CARBIDES ماده انتقال ( TI ، CR ، W ) با عناصر سبک ( SI ، AL ) آلومینیوم  و سیلسیوم ترکیب می شوند . ماده هایی با پایه و اساس کبن و شامل هیدروژن آزد یا هیدروژنه ی چهار ضلعی غیر متبلور کربن ( TA-C:H یا  TA-C ) ، ساختمان بی شکل هیدروژنه ی کربن ( A-C:H ) و یک طیف وسیعی از نانو کامپوزیت ها با پایه و اساس کربن در سایز نانو را شامل می شود ،

-         که ذخیره شدن  1 – ماده های ( AG- CU- NI- CO- CR )( کروم ، کبالت ، نیکل ، مس ، نقره ) با واکنش کم کربن دارند یا 2 – ماده  CARBIDES ( TIC- WC- MOC- NBC  ) این مواد به صورت پوشش های تک یا چند لایه همراه با لایه زیرین ته نشین می شوند برای نانومتر ها .

کربن ، پیدایش ماده برای همه پوشش دنده های کربنی طبقه بندی شده است . بسته به  رابطه شکستگی و متوای هیدروژن همانطور که در شکل  نشان داده شده است . همانطور که توسط روبرت سون ( Robertson ) توضیح داده شده است ، تطبیق پذیری قابل توجه کربن از وابستگی قوی آن به ویژگی های فیزیکی اش در نسبت C-C      ناشی می شود . به طور کلی کربن نامنظم می تواند مخلوطی از رابطه  باشد . محتوای هیدورژن می تواند به درصد در قسمت چپ مثلث در شکل در طول خط  برسد موا با محتوای بالا تر  چهار ضلعی نامنظم کربن و هیدوژنه در طول آن نامیده می شود : TA-C:H

* *

به سمت پایین بروید به سمت گوشه ی   ما می توانیم گرانیتی کربن را پیدا کنیم . با افزایش محتوای هیدورژن TA-C   بهA-C:H  نرمتر و کربن هیدروژنه نامنظم تغییر شکل می دهد .

شکل 1 : نمودار فاز 3 گانه کربن نامنظم . سه گوشه ی آن با الماس مشابه هستند . (  رابطه دارند ) گرافیت و هیدرو کربن ها ، به ترتیب (1) معتبرترین تکنیک شناسایی برای فازهای متفاوت کربن ، طیف بینی RAMAN ، به طور معمول برای این هدف مورد استفاده قرار می گیرد . تشخیص وسیع در عمق آنالیزداده های تجربی و روش تفسیر و توضیح طیف بینی RAMAN برای فاز کربن های نا منظم توسط FERRAI و Robertson پیشنهاد شده است . همچنین بعضی از ویژگی های پایه ای ( اساسی ) A-C:H مانند چگالی ، ضرب YOUNG ، دسته ( تسمه ) بصری یا نوری شکاف و موضوعات انکساری مربوط به محتوای هیدروژن به مانند نسبت  . همانطور که توسط کربن نمایش داده شده است . CASIRAGHI کسی است که طیف بینی RAMAN ر برای طول موج لیزر در 244 نانومتر و 514 نانومتر آنالیز کرده است باید به خاطربسپاریم که این اطلاعات گرفته شده از غشای کربن نامنظم ، معمولاً به صورت آماری در طبیعت است ، هنوز کمبود روش توصیف اتمی وجود  درد که می توان در مقیاس بزرگ تر استفاده شود . به علاوه به خاطر ساختار پیچیده غشای کربن ،  فشار داخلی ، پیوند های سست و جابه جا شدگی ، توصیف ساختار غشای کربن ممکن است روشن ( واضح نباشد ). در بیشتر زمینه ها برای از عهده بر آمدن مشکلات ،تکنیک چند گانه استفاده همزمان (UV،RAMAN VIS ، طیف بینی IR  ، EELS، XPS ، HRTEM ، AFM ) پیشنهاد می شود .

·         کربن چهار ضلعی نامنظم – ( TA-C) پوشش دهنده ی هیدروژن آزاد

غشای پوشش دهنده ی نازک بر پایه و اساس هیدروژن آزاد کربن چهار ضلعی نامنظم TA-C با شکاف  تا 90 درصد معمولاً با DC آزاد می شود ، یا پالس خلا ، هدف تبخیر گرافیتاست . رابطه ی بین شرایط ذخیره سازی انرژی یون ، دمای زیر لایه ، درجه ذخیر سازی و ساختار / ویژگی پوشش دهنده های و مرحله ی فشار توسط CHHOWALLAINKIN مورد بررسی قرار گرفته است و اخیراً توسط LAU سخت کوشی آنها و ضریب YOUNG ( حدود 70 و 700 GPA اصطکاک پایین (کم ) جنبش شیمیایی ساکن  ( راکد ) آنها رابرای کاربرد پوشش مقاومت کاندید کرده است . به طور همزمان فشار به 12 گیگا پاسکال GPA 12 به طور ذاتی ضخامت چسبندگی پوشش دهنده ها را به حدود 100 نامومتر محدود می کند ( شکل 2 ) بزرگی فشار مستقیماً به بخشی از  که بستگی به شرایط ذخیره شدن انرژی یون کربن و دمای زیر لایه ها . این رابطه ها در گزارشات فراوانی مورد بحث قرار گرفته است . برای از عهده  بر آمدن مشکل چسبندگی کم فشار بالا

* *

پوشش دهنده های TA-C به موارد زیر لایه استاندارد ( HSS و کربن چسبیده شده TI6A14V  ) چندین راه حل پیشنهاد شده است .

آنها عبارت انداز پروسه چند پله ای شامل :

-         زیر لایه (TI6A14V ) واکنش قبلی توسط پرتو یون کربن

-         زیرلایه ی ( فولادآلیاژ پایین AISII4140 ) واکنش قبلی توسط یون TI  پیروی شده توسط آزاد شدن از لایه ی میانی

-         زیر لایه گا (AISII4140) به 650HV ( 5/6 گیگا پاسکال بدون ترکیب لایه ها ) یا به 850HV  ( با 5 میکرو متر ضخامت ترکیب لایه ها )

-         آزاد شدن چند لایه با ترکیب نرم تر A-C

-         آزاد شدن نازک TI  یا AL لایه درونی از آزاد سازی TA-C  

شکل  2  : فشار تراکم ضخامت غشا برای TA-C  وA-C:H

هاکودریتا در خصوص پیشرفت قابل توجه اجرای قطع و ابزار دوران زندگی برای مواد سخت WC-CO گزارش داده است نوک تیز چوب پوشیده می شود توسط آزاد شدن جرقه قطب منفی TA-CLCR چند لایه .این نتایج ، آزاد شدن تراکم فشار رابه CR لایه پایین تر نشان داده است . کروم نیز نقش مهمی در برابر محافظت از اجزای خوردگی بازی می کند جنبهی جالب استحکام پوشاننده هاو شخصیت غشای دارای نقص و عیب CVDTA-C روی کربن چسبیده شده برای ترکیبات با اساس چوب استفاده می شود که توسط شیخ احمد مورد بحث قرار گرفته است . نویسنده در یافته است که تیز کردن لبه های بریده شده به طور واضحی شکستگی لبه ها را کاهش می دهد کاهش باقی مانده فشار و شکاف های در حد میکروی غشای TA-C آنالیز جدید از رابطه ی بین چگالی و ویژگی های مکانیکی غشای TA-C توسط FCVA ( پرتو خلا کاتودی پوشاننده ) پیشنهاد شده است توسط TAN یک مدل ساده بین چگالی  و رفتار کشسان غشای TA-C پایه گذاری شده است . این مدل اطلاعات تجربی را از قطعه ای از مدل و سختی آن پیش بینی میکند . برخلاف چگالی برای غشاها .

ظرفیت قابل حمل با زیر لایه پوشا ننده سیستم بستگی دارد به ویژگی ماده زیر لایه . پلاستیک کشسان در ارتباط بین یک توپ سفت و یخت در یک پوشش سخت باضخامت متغیر در زیر لایه های متغییر شبیه سازی شده است با استفاده از روش عناصر محدود استحکام بارها و ارزش از این لایه به لا ی دیگر رفتن نمایش داده با ارزشی معمولی برای فولاد های با سرعت بالا آلیاژتیتانیوم و آلومینیوم تشخیص داده شده بین زیر لایه ها به تأثیر چنین پارامترهای مهمی به مانند ضخامت پوشاننده ها و ویژگی ماده ی زیر لایه برروی آشناسازی و پیشرفت تغییر شکل دادن پلاستیک و ظرفیت تحمل بار پوشش دهنده و سیستم زیر لایه رسیدگی شده  است .

* *

نتیجه نشان داده است که بیشتر پوشش دهندهای سیستم های زیر لایه تغییر شکل پلاستیک در زیر لایه در پوشش دهنده ی زیر لایه های که با آن مواجه می شود تازه شروع میشود و تغییر شکل پلاستیک وارد پوشش دهنده نمی شود تا یک منطقه پلاستیکی بزرگ در زیر لایه شروع به گسترش کند استحکام زیر لایه و ضخامت پوشش دهنده ها یک تأثیر روشن بر روی رفتار تغییر شکل دهندگی پلاستیک و ظرفیت تحمل بار ترکیبات دارند. در آن زمینه ی پروسه ی دو جریی با واکنش قبلی زیر لایه بیش از ذخیره ساز سخت TA-C باید مورد مطالعه بسیار ( وسیع ) قرار گیرد . همچنین باید مورد توجه قرارگیرد که خاصیت TRIBOLOGICAL پوشش دهنده ی TA-C  اصطکاک و پوشش به طور محکمی به رطوبت محیط بستگی دارد که توسط VOEVODIN و ERDEMIR  به طور وسیعی مورد بحث قرار گرفته است به خاطر پیوستگی سطح اتم کربن با مولکولهای آب واکنش می دهد . ضریب اصطکاک برای آن نوع پوشاننده ها به طور نسبی پایین می ماند رفتار هیدروژن آزاد در پوشاننده TA-C  در کاربرد قطع چوب مرطوب اخیراً توسط TLLMANN آزمایش شده است ZHANG  و گروهش برای پیدا کردن راهی بری بهبود بخشیدن میزان به چسبندگی و افزایش سختی غشای کربن تحقیق میکنند که درجه بندی با یاس پوشاننده ها ( پوشش دهنده ها ) توسط بیرون راندن مگنت گرافیت تست می شود .             

-         قدرت چسبندگی بالا در بایاس پایین و سختی بالا ( زیاد ) در بایاس بالا ممکن است ترکیب شود برای تولید چسبندگی بالا و پوشانندگی سخت در سطح بالا برای وفق دادن خاص در میان یک درجه ی ذخیره سازی بایاس ( به تدریج قدرت بایاس را افزایش می دهد به مانند اقدامات ذخیره سازی ) میزان سخت از 18 تا 28 گیگا پاسکال (GPA ) برای بیشتر کاربردهای TRIBOLOGICAL  مناسب است GRAPHITIZATION سود بیشتری را در کنار کاهش اصطکاک در بر دارد . لایه ی گرانیتی می تواند به طور قابل توجهی چسبندگی پوشاننده را کاهش دهد زیر که آن می تواند نگه داری کند از سختی دو سطح که به هم چسبیده شوند.SHEEJA  در ذخیره سازی فشار کم پوشش دهنده ها توسط ( پرتو خلا کاتودی پوشاننده ها ) گزارش داده است . مطالعات آشکار کرده است که اصل نا استواری پوشاننده ها و فشار درونی فشرده ها می تواند با آماده شدن آن در تصال با بایاس زیر لایه ها برطرف شود . پالس کوتاهتر در زمانی حدود 125 درصد ( یک چرخه )کاهش می یابد فشار در حدود 85 در صد ( شکل 3 ) اما در همان زمان آن نگه داری می شود نرمی آن به مانند سختی پوشش دهنده ها برای محدوده ی خاصی است .

شکل 3 – فشار ذاتی در پوشش دهنده های ذخیره شده در پالس با یاس  شده زیر لایه در عرض پالس و فرکانس اگرچه یک پاس بزرگتر در زمان فشار را به حد کمی کاهش می دهد اما کاهش نرمی مانند سختی شکل 4 مطالعات پیشنهاد می کند فرکانس  هرتز و یک پالس با عرض 25 ثانیه برای تولید ضخیم ( انبوه ) و غشای با کیفیت خوب کافی است .

* *

سختی پوشش دهنده ذخیره شده در زیر لایه پاس بایاس شده در فرکانس و عرض پاس متفاوت اخیراً همچنین دیگر گزارشات واضح پیشنهاد داده شده است که امکان پذیر است برای وفق دادن محتوای غشای  در TA-C فقط با عرض متغییر پالس در فرکانس خاص و ولتاژ با یاس برای زیر لایه

ماده تخدیرشده ME/TA-C و ME/A-C پوشاننده های هیدروژن آزاد ( خالی هیدروژن )

خصوصیات بسایر خوب TRIBOLOGICOL  پوشش دهنده های TA-C اما فشار فشرنده های بالا در نرمی محدود شده و چسبندگی در اجرای یک اجبار برای تحقیق در مورد راه های جدید برای طراحی مواد با پایه و اساس کربن خالی از اشکال نتیجه بخش است .

نظر پوشش دهنده های نانو کامپوزیت کربنی توسط VOEVODIN  و همکارانش توضیح داده است و در دهه بعدی در در آزمایشگاه های متعددی پیشرفت خواهد کرد . تیتانیوم برای فعالیت بالایش ( زیادش ) با کربن و مواد با استحکام ترمودینامیک معروف است که اولین عنصر ناخالص سازی شده در استفاده از ترکیب این مواد است . در حالیکه تعداد گزارشات در خصوص ذخیره سازی و  ویژگی های تیتانیوم شامل نانو کامپوزیت با کربن هیدروژنه ی نامنظم است که می تواند بعداً می توان روی آن بحث کرد . ترکیبات TIC/TA-C توجه کمتری را به خود جلب کرده اند . اگر چه برخی از گزارشات اخیر افزایش نرمی و چسبندگی آن دسته از پوشاننده ها را خاطر نشان کرده اند .

YANG در خصوص ساختار و ویژگی TRIBOLOGICOL در دمای پایین ذخیره سازی پوشاننده های TIA- C گزارش داده است که آن با فرکانس متوسط بیرون راندن TI و گرافیتآماده میگردد. نویسنده به ساختار پوشش دهنده های ذخیره شده در زیر دمای 100 درجه ی زیر لایه و ولتاژبایاس 100 ولت اشاره کرده است جایی که نانو کریستال هایی با مواد غیر فعال تیتانیوم می توانند در ماتریس کربن نامنظم پیدا شوند. پوشش دهنده های مرکب ( کامپوزیت )شامل 4 درصد تیتانیوم نشان داده اند فشار (سختی ) 20 گیگا پاسکال را با اصطکاک بسیار پایین . کمتر از 1/0 در نسبت رطوبت  درصدی برخلاف WC-COBALL  و پوشش می دهد رنج زیر  متر مکعب برنیوتن مترNM /  

ZHANG راه هایی در خصوص به هم چسبندگی و نرمی پو شاننده های A-C را مورد بحث قرارداه است .

این نویسنده همچنین تأکید کرده است که پیوستگی مواد با ماتریس هیدروژن آزاد A-C راه موثری در کاهش رشد تحریک شده فشار در بین مواد SPUTTERING برای عمل کردن به مانندسست کننده فشار است . دربین عناصر سست کننده ( تیتانیوم  ، آلومینیوم ، سلسیوم و غیره ) آلومینیوم (AL ) یکی از موثرترین عناصر برای آزاد کردن فشار است . اگر چه در پیوستگی آلومینیوم ، چیزی که برای CARBIDES نیست ، نتیجه در کاهش سختی ( فشار) بستگی به کاهش پیوند  دارد . حدود 60درصد سختی پوشش دهنده ها از دست می رود وقتی با 10 درصد آلومینیوم همانطور که درشکل 5 نشان داده شده است تخدیر شده است . برای ترمیم ( به حال اول برگردادن) سخت ، ZHANG  تیتانیوم ، آلومینیوم و کربن رابیرون راند برای  تولید  اورنیتد به طور راندم ( اتفاقی ) شبکه های نانو کریستال TIC به طور جا داده در مواردی شامل آلومینیوم A-C  و شکل دادن به یک پوشش دهنده ی نانو کامپوزیتی

* *

شکل 5 تأثیر ترکیب مواد در هدف سختی در حد میکروو ضریب YOUNG غشای TI/TA-C و AI/TA-C این پوشش دهنده های فشار کم باقی مانده ، سختی بسیار بالا و نرمی را نشان می دهند . این پوشش دهنده ها فشار کم باقی مانده ، سختی بسیار بالا و نرمی را نشان می دهند.

در تحقیقات TAY یک OFFPLANE دوبارپرتو خلا کاتودی فیلتر شده منحرف شده است . روشی برای ذخیره  ماده ی تخدیر شده A-C غشای ترکیب شده با استفاده از SI/C و AL/C وTI/C و FE/C و NI/C و CO/C مورد استفاده قرار گرفت با هدف مواد ترکیبی متفاوت

شکل 6 – تغییرات در نسبت ID  بهG I در غشای A-C:ME به عنوان یک تابع ترکیب مواد در اهداف

همانطور  که در شکل 6 نشان داده شده است . تأثیر ترکیب مواد  در شدت نسبت قله ( مقدارپیک ) G و پیک D در عناصر AL و TI و FE وni و CO شامل غشای A-C است . این پیشنهادات متغییر که پیوستگی ای به ماده در نتیجه ی غشا دارد سهمی در کاهش فاز  و سایز دسته ی  دارد . پیوستگی AL  و TI و FE وni و CO فشار درونی را در غشا کاهش از آنجاییکه سختی و ضریب YOUNG نسبتاً هنوز در ارزش بالایی باقی ماند ه اند

* *

شکل 7 – بسته به شکل CARBIDES سختی غشای A-C:TI بالاتر از غشای AL/A-C است کاهش فشار درونی در غشای A-C:ME راهی را آماده می کند برای آماده شدن انبوه زیاد سختی غشا برای کاربردهای مکانیکی به مانند پوشش دهنده های سخت .

نویسنده منعقد می کند اگر چه هزینه ی روش پرتو خلا کاتدی فیلتر شده بسیار زیاد است ، درجه ی ذخیره سازی پایین است وقتی این را با پروسه متعارف ذخیره سازی پرتو خلا کاتدی مقایسه می کنیم .

شکل 7 – بزرگی فشار و سختی پوشش دهنده ی ME-AC بر خلاف محتوای ماده ی غشا .خصوصیات مکانیکی و ساختار پیوسته اتمی سلیسوم غشای TA-C ر پیوسته میکند در رنج گسترده ای توسط CHURISEUNGLEE رسیدگی شده است

نتیجه مهم این کار اضافه شدن مقدار کمی از سلیسوم به غشای TA-C است که می تواند به طور واضحی فشار باقی مانده را با کمی تغییر از نظر خصوصیت مکانیکی کاهش دهد .

شکل 8 – فشار باقی مانده ،سختی و PLANESTRAIN ضریب در مقابل محتوای سلسیوم در پوشش دهند ها . وقتی تمرکز سلسیوم بیشتر از 10 درصد باشد باقی مانده فشار و ویژگی های مکانیکی اشباع می شود به ارزش فاز SIC شکل 8 رفتار مشاهده می تواند دریافت گردد دز شرایط تغییر در ساختار پیوستگی اتم توسط مشارکتی که توسط سلسیوم ایجاد می گردد.اولین تأثیر آشکار شرکت سلسیوم جانشینی لایه ی  اتم کربن برای تولید پیوند SI-C ضعیف تر بود . کشش بیشتر پیوند ضعیف تر SI-C باعث سست سازی پیوند C-C ترکیب SI می شود . اگر چه این تغییر در ساختار پیوند یونی اتمی تغییری در سهمی از پیوند غشا ایجاد نمی کند . بنابراین سختی و ضریب کشسانی که با سه پیوند سه بعدی ارتباط دارند که رفته رفته از توجه SI کاسته می شود بعلاوه افزایش SI بعث ایجاد فاز SIC می شود(NM/    در مقابل آلومینا) برای آن مشاهده شده است ، اساساً پیوندهای  ماده با رسانایی الکتریکی بالا .

تأثیرهندسی زیر لایه روی ذخیره سازی یکنواخت CR/A-C پوشاننده ها توسط X.DDING مورد مطالعه قرار گرفته است .

·  ماده تخدیر شده ME/A-C:H پوشش دهنده ی کربنی هیدروژنه ی نامنظم

کربنی هیدروژنه ی نامنظم ( A-C:H ) شبکه ی نامنظمی متشکل از کربن و هیدروژن است . این شبکه شامل پیوندهای درامتداد هم قوی اتم کربن است با پیوندلایه های  شبه گرافیتو لایه ی  (الماسی شکل ). ویژگی این لایه ها به طور قدرتمندی به محتوای هیدروژن  و نسبت  به    بستگی دارد . چیزی که به نوبه ی خود بستگی به پروسه ی ذخیره سازی و پارامترهای آن بستگی دارد . روش ذخیره سازی برای رشد این غشاها و ویژگی های آن در مقاله ی تجدید نظر ROBERTSON مورد بحث قرار گرفته است .

غشای هیدروژنه ی A-C به 4 نوع طبقه ی بندی شده است .

-      غشای A-C:H با محتوای هیدروژن (H ) بالا (60 – 40 درصد) این غشا می تواند تا 70 درصد   بالا بیاید . اگر چه بیشتر پیوند های  به هیدروژن H منتهی می شود .( پیوند C-H به جای پیوند C-C ) و ماده ی آن نرم و دارای چگالی پایین است

-      غشای A-C:H با محتوای هیدروژن (H ) متوسط (40 – 20 درصد ) حتی اگر این غشا دارای محتوای  روی هم رفته پایین تر باشد آنها دارای پیوند های C – C لایه  بیشتری از نوع قبل غشای A-C هستند . آنها دارای ویژگی مکانیکی بهتری هستند.غشای کربنی نامنظم چهار ضلعی هیدروژنه ( TA-C:H ) محتوای لایه ی  ، C-C می تواند افزایش بیابد در حالیکه محتوای  بالاتر (70 درصد ) و 30-25 درصدهیدروژن (H )  ،غشای TA-C:H مستعد چگالی بالاتر ( تا بالاتر از 4/2 گرم بر سانتی متر مکعب  پایین ( کمتر از20 درصد ) شامل محتوای   / G است و ضریب YOUNG ( یانگ ) ( تا بالای 300 گیگا پاسکال ) وقتی با شکل الماسی A-C:H مقایسه می شود.

-      غشای A-C:H  با محتوای هیدروژن (H ) پایین (کمتر از 20 درصد ) شاما محتوای  بالا (پر )و دسته بندی  . این غشا شبه گرافیت نامیده می شود A-C:H  و آنها توسط PECVD ذخیره می شود در بایاس MAGNETORNSPUTTERINS بالا .

-         طرح نظر سختی ، زمختی ( با دوامی ) ، چسبندگی بالا و اصطکاک پایین  پوشاننده ها براساس کربن هیدروژنه ی نا منظم است و همچنین دیگر مواد مانند₄N ₃SI یا SIC  توانایی شکل پذیری ماتریس نامنظم دارند ، که براساس فرض زیر پایه گذاری شده اند .

-         لایه ی مواجه شده درجه بندی شده بین زیر لایه و پوشاننده های ترکیبی نامنظم کریستالی به کاربرده می شود ، برای افزایش قدرت چسبندگی و آزاد کردن فشار (ترکیب تابع مدرج و طرح نانو کامپوزیت )

-         در محفظه قراردادن 10-3 نانومتر شبکه کریستالی در ماتریس نامنظم ، فعالیت جابه جا را محدود می کند . پیشرفت MICRO-CRACK را منحرف می کند و میگرد آن را به مانند طرح پوشش دهنده های فوق سخت در سطح بالا نگه می دارد .

-         حجم بخشی از شبکه مرزی مجرایی را بین شبکه مرزی لغزنده و نانو کرک NONOCRACKING در طول ماتریس شبکه مواجه شده آماده می کند .

* *

تفاوت اولیه بین طرح پوشش دهنده های زمخت و فوق سخت به صورت زیر است : انتخاب فاز ماتریس با ضریب کشسانی پایین تر سست سازی درخواست ها برای بستگی قوی بین ماتریس و شبکه و انتخاب از یک رنج بالا تر سایز قابل قبول قبول شبکه نانو کریستالی در پوشش دهنده های زمخت .

شکل 9 – شماتیک پوشش دهنده های نانو کامپوزیت سخت ، در طرح نانو کریستال نامنظم مشخص شده اند در لایه ی اصلی پوشش دهنده برای چسبناکی سخت و مواجه مدرج تابعی لایه برای چسبندگی سختی

ترکیب نانو کریستال نامنظم با تدریج مدرج  طراحی شده است همانطور که در شکل 9 نشان داده شده است . چسبناکی سختی را آماده می کند و مواجه بالا (  چسبندگی) زمختی در یک تک لایه

چند مثال از پوشش دهنده های ترکیبی با پوشش مقاومت سخت گزارش شده است

شکل 10 فرضیه سیر کامل ساختار میکرو و ویژگی غشای TIC/A-C:H با افزایش محتوای کربن ساختار معمول و ویژگی ساختار تکامل با افزایش بخشی از ماتریس کربن نامنظم برای پوشش دهنده های نانو کامپوزیتی TIC/A-C:H در شکل 10 نشان داده شده است . کربن را ترویج می دهد توسط SUNG پیشنهاد داده شده است .

بر طبق این گفته نویسنده مواد انتقال دهنده با فعالیتی متوسط می توانند اتم کربن را در گرافیت بدون تغییر شکل دادن به کربن به خود جذب کنند .

توانایی برای مواد انتقال دهنده برای واکنش دادن با کربن افزایش می یابد با تعدادی از الکترون های خالی در اور بیتال D  عناصر ( مس و نقره و روی ) بدون اور بیتال D خالی فاقد نیروی جنبش مربوط به کربن هستند .

عناصر ( آهن و کبالت و نیکل ) ضمیمه خالی حلال کربن موثر هستند عناصر ( تیتانیویم ، وانادیوم ) با اور بیتال D پر تشکیل دهنده ی کربن هستند .

مدل پیشنهاد شده پیش بینی می کند که قوی ترین عناصر کاتالیز ( کبالت  و آهن  و  منگنز و نیکل و کروم ) هستند . این مواد انتقال دهنده معمول ترین اجزای کاتالیزور های برای تولیدات تجاری الماس ترکیبی ( مواد مصنوعی ) زیر فشار بالا هستند که مورد استفاده قرار می گیرند . این نظر توسط Y.YCHANG گسترش یافت کسی که روی حالت مکانیکی و ویژگی های TRIBLOGICAL عناصر ( تیتانیوم و زیر کنیوم و کروم ) شامل پوشش دهنده های کامپوزیتی که توسط پرتو خلا کاتدی دوباره فعال سازی شده است ، مطالعه کرده است . ساختار پوشش دهنده ها شامل زیر لایه ی ماده نیتراتی توسط انتقال دهنده ی مدرج برای لایه ی نانو کامپوزیتی دنبال می شود همانطور که در شکل 12 نشان داده شده است .

**

شکل 12 پوشش دهنده پیچیده ساخته شده از لایه CRN چسبیده ، لایه ی مدرج انتقال و لایه بالایی نانو کامپوزیت CROSSSECTION پوشش دهنده ها و عمق AESبرش عمودی عناصر

بهترین نتیجه دهنده های شامل کروم پیداشده است . MICROHARDNESS گزارش شده ، فشار فشرده شده و رنج پوشش ION و همتای WC از پوشش دهنده ی A-C:H /CR شامل 14 درصد کروم و ذخیره شده در ابزار فولاد در MZ به اندازه ی 25 گیگا پاسکال و 5/1 گیگا پاسکال و NM /   M^317- 2×10 به ترتیب .

مگنت ذخیره شده ماده تخدیر شده پوشش دهنده A-C:H همچنین در حال آزمایش شدن بود ، برای تأثیر مکرر تأثیر مقاومت . مانند ویژگی پوشش دهنده ی تنکستنی W بسیار مهم هستند در شرایطی که بار تکان سخت می خورد در طی ماشینی کردن چوب . اگر چه تحقیقات گزارش شده پیشرفت با هدف اجرای پوشش دهنده ها انجام شده بود نتایج به دست آمده معنای  کلی تری دارند در میان پوشش دهنده های تنگستنی و کرومی A-C:H تأثیر بهتر مکرر مقاومت برای پوشش دهنده های نانو کامپوزیتی A-C:H / CR توجه محققان که مورد ذخیره سازی و ویژگی علم سطح و مکانیکی می خواندند را به خود جلب کرد . به مانند پایداری حرارتی و اکسید شدن مقاوم اخیراً تأثیر شرت نیتروزن بر روی ساختار و ویژگی CR (کروم ) تخدیر شده پوشش دهنده های کربنی نامنظم گزارش شده است

* *

مواد تشکیل دهنده کربن ساز ( تنکستین W و نیوبیوم NBو موبیدیم MO ) تخدیر شده A-C:H پوشش دهنده های ترکیبی همچنین در شرایط ویژگی ساختار ترکیبات مورد مطالعه قرار گرفته اند . اگر چه نتایج مشاهده شده در ویژگی دانش شرکت کرده اند آنها در این گزرش از اهمیت کمتری برخوردارند . تذکرات پوشش دهنده A-C:H ذخیره شده است در فولاد آلیاژپایین (60SMD8 ) ابزار  . پوشش دهنده ها بهتر از TIN و N ( ZR وti ) استاندارد عم می کنند. استحکام برش حاشیه ها به طور بهتری به دست است برای پوشش دهنده هایی با پایه و اساس CR_XN_Y

نتیجه گیری

اگر چه نتیجه گزارش شده در ابیات این موضوع به طور بالایی پراکنده شده و هیچ سیستم تحقیقاتی روی کاربرد پوشش دهنده های کربنی روی ابزار پردازش چوب انجام نشده است چندین نتیجه گیری که می تواند از آنالیز نمایش داده شده است به دست آید وجود دارد . پوشش دهنده های براساس پرتو خلا ذخیره شده دارای نفوذ نجومی هیدروژن آزاد TA-C کربن سخت باید مورد توجه تحقیقات بهعده گرفته شده باشد . شرایط ذخیره سازی مربوط به انرژی یون ویلاریته زیر     (با یاس پالس ) نیاز دارد که به دقت سازگار کردند تأسیس کردن و روشهای بابت شده سست سازی فشار داخلی توسط مواد تخدیر با هم با ذخیره انتقال لایه های مدرج باید اجازه دهند برای به طور کامل شرح دادن پوشش دهنده ها تا بتوانند شرایط تند (خشن ) پردازش کار با چوب را تحمل کنند نتایج به دست آمده اخیر نشان می دهد که کروم انتخاب مطلوبی به عنوان عنصر تخدیر شده است اضافه کردن مقدار کمی آلومینیوم یا سلسیوم به عنوان عامل قوی سست سازی فشار باید مورد توجه قرار گیرد

همچنین پیوند A-CSP² پوشش کربنی در پردازش مگنت هیدروژن آزاد مورد توجه بوده است  بسته به زمختی بالا همراه با سختی بالای آن دارد

در این دو زمینه (A-C وta-c ) هنوز بیشتر تحقیقات لازم دارد که وفق داده شود ساختارش و ویژگی پوشش دهنده های جدید برای احتیاجات خاص پردازش کار با چوب ویژه .

پوشش های نانو کامپوزیتی نوع A-C:H /ME براساس کربن هیدروژنه نامنظم می تواند راه حل متناوب در هر جا که زمختی زیاد و چسبندگی توسط سختی متوسط مورد نیاز است باشد . در اینجا دوباره کروم به عنوان عنصر مطلوب تخدیر شده مورد ملاحظه قرار گرفته است  .

مـنـابـع

علم مواد مهندسی 2002 – 128-129 ROBERTSON - 1 

 (1991) 333-199  SOLIDSTATE  کربن شبه الماسی سخت . J.ROBERTSON2 - 

   (2000 )PHYS و G R OBERTSONو A.C.FERRARI3 - 

(2003) PHYS و A.C.FERRARI - 4

  الماس و مواد مربوط به آن 14 (2005 )C.CASIRAGHI 5 –

 شیمی مواد و فیزیک 96 (2006 ) 277-253P.KCHE6–

   الماس و مواد مربوطه به آن 10 (2001) 1016-1011M.CHHOWALLA   7 –

 الماس و مواد مربوطه به آن 10 (2001) 1108-1103 V.NINKIN    8 -             

کربن 47 (2009) 3270-3263 D . W.M LAU  9 -

 سطح و تکنولوژی پوشش دهنده ها 98 (1998) 1101 -1097B . SCHUITRICH 10 -

  سطح و تکنولوژی پوشش دهنده ها 157(2002) 261-257 B . PODHORNIK11-

سطح و تکنولوژی پوشش 97 (1997) 390-385  N .BSCHITRICH و H.G.SCHRIBE  و H.ZIEGELE12-

8 (1999)839-834  الماس و مواد مربوط به آن  I .ENIER  13 -

 1999 )1228- 1225   الماس و مواد مربوط به آن8 (M .HAKOVIRTA 14 -

 محصولات جنگی 41 ( 1991) 31H. A.STEWARD,M.H.PEDILLARA ,R .ARPP 15 -

 ( پوشش 255) . (2003) 1437-1433J.Y.SHEILK -AHMAD16 -

  نوشته مواد 61 (2007 ) 4560-4647M.TAN 17 -

 و غشای نازک جامد (1995 ) 131-122BELL,T,A.BLOYCE,Y.SUN18 -

  الماس و مواد مربوط به آن 5 (1996 ) 1269 - 1264A.A.VOEVODIN-19

سطح و تکنولوژی پوشش 147-146 (2001 ) 297 - 292A.ERDMIR20 -

سطح و تکنولوژی پوشش 204 (2009 ) 1045 - 1040W.TILLMANN21 -

سطح و تکنولوژی پوشش 167 (2003 ) 142 – 137   S.ZHANG22 -

13 (2004 ) 867  الماس و مواد مربوط به آن S.ZHANG 23 -

 غشای نازک جامد 421-420 (2002 ) 69 – 62 D.SHEEJA24 -

   الماس و مواد مربوط به آن 18 (2009) 1347-1343 MARAHMAN25 -

  فیزیک (1997 ) 858 - 855J.APPL,A.A.VOEVODIN 26 -

سطح و تکنولوژی پوشش 92 (1997 )49-42 J.APPL,A.A.VOEVODIN27 -

 غشای نازک جامد 298 ( 1997 ) 115 – 107  J.APPL,A.A.VOEVODIN28 -

الماس و مواد مربوط به آن 7 (98 ) 467 - 463 J.APPL,A.A.VOEVODIN29 -

سطح و تکنولوژی پوشش 202 (2008 ) 5355 - 5350 P-CTSAI30 -

سطح و تکنولوژی پوشش 204 ( 2009 ) 954 - 947 J.C.SANCHEZLOPEZ31 -

سطح و تکنولوژی پوشش 200 (2006 ) 5818- 5812 B. YANG32 -

 غشای نازک جامد 482(2005) 144 – 138 S.ZHANG33 -

الماس و مواد مربوط به آن10 (2001 ) 1087 - 1082 B.KTAY34 -

غشای نازک جامد 421 – 420 (2002 ) 184 - 177  PZHANG BKTAY35 -